Dynamiskt minne
- Afrikaans
- l`rby@
- Asturianu
- Belaruskaia (tarashkevitsa)
- B'lgarski
- Catala
- Cestina
- Deutsch
- Eesti
- Ellenika
- English
- Espanol
- Euskara
- frsy
- Francais
- hangugeo
- Hrvatski
- Bahasa Indonesia
- Italiano
- `bryt
- K'azak'sha
- Latina
- Lietuviu
- Magyar
- Makedonski
- mlyaallN
- Nederlands
- Ri Ben Yu
- Norsk bokmal
- Piemonteis
- Polski
- Portugues
- Romana
- Russkii
- Shqip
- Simple English
- Slovencina
- Srpski / srpski
- Srpskohrvatski / srpskokhrvatski
- Suomi
- aithy
- Turkce
- Ukrayins'ka
- Tieng Viet
- Wu Yu
- Yue Yu
- Zhong Wen
| Den har artikeln behover kallhanvisningar for att kunna verifieras. (2022-10) Atgarda genom att lagga till palitliga kallor (garna som fotnoter). Uppgifter utan kallhanvisning kan ifragasattas och tas bort utan att det behover diskuteras pa diskussionssidan. |
Dynamiskt minne eller Dynamiskt RAM (DRAM) ar ett flyktigt las- och skrivbart datorminne som ofta anvands som arbetsminne och i grafikkort till datorer. Varje minnescell (som lagrar en bit) bestar i princip av en kondensator och en transistor. Lagring av en binar 1:a sker genom att kondensatorn laddas upp, och en 0:a genom att den laddas ur. Eftersom kondensatorn lacker maste minnet aterskrivas (eng. refresh) med nagra millisekunders mellanrum for att bibehalla data.
Transistorn kan ses som en strombrytare som drar strom enbart vid skrivning, lasning och uppdatering. Dynamiskt minne har darfor moderat effektbehov trots hog lagringsdensitet jamfort med statiskt minne (SRAM) dar varje minnescell utgors av en bistabil vippa (typiskt 6 transistorer). Fordelen med riktiga vippor ar dock att statiskt RAM kan goras bade snabbare och stromsnalare an DRAM (dock ej samtidigt).
Den forsta minnescellen enligt DRAM-principen togs fram 1966 av Robert Dennard, en forskare pa IBM:s Thomas J. Watson Research Center.
| |||||||||||||||||||||||